CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para señales de
datos, estroboscópicas y de máscara
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR)
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 integrada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología de paso
• Comando de control terminado y bus de direcciones
• PCB: Altura 1,23” (31,25 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
Memoria Ram KINGSTON UDIMM
Nota: La precisión de la información, presentación, imágenes, título o especificaciones del producto pueden cambiar sin previo aviso.
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