Especificaciones
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 integrada
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registro de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología de paso
• Comando de control terminado y bus de direcciones
• PCB: Altura 1.18” (30.00mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
Memoria Ram Kingston KVR26S19S8/16
Nota: La precisión de la información, presentación, imágenes, título o especificaciones del producto pueden cambiar sin previo aviso.
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